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TIP112G中文资料

TIP112G图片

TIP112G外观图

  • 大小:300KB
  • 厂家:
  • 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):2.5V @ 8mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大):2mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 1A,4V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:TIP112GOS

TIP112G供应商

更新时间:2023-01-12 16:50:53
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